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메타데이터
항목 ID GC08600823
한자 三星電子華城事業場
영어공식명칭 Samsung Electronics
분야 정치·경제·사회/경제·산업
유형 지명/시설
지역 경기도 화성시 삼성전자로 1[반월동 948]
시대 현대/현대
집필자 조원석
[상세정보]
메타데이터 상세정보
준공 시기/일시 2000년연표보기 - 삼성전자 화성사업장 생산라인 준공
개칭 시기/일시 2010년 4월 6일연표보기 - 삼성전자 화성사업장에서 삼성전자 나노시티 화성캠퍼스로 개칭
최초 설립지 삼성전자 화성사업장 - 경기도 화성시 삼성전자로 1[반월동 948]
현 소재지 삼성전자 나노시티 화성캠퍼스 - 경기도 화성시 삼성전자로 1[반월동 948]지도보기
성격 기업체
면적 약 157만㎡
전화 031-209-7114
홈페이지 https://www.samsung.com

[정의]

경기도 화성시 반월동에 있는 반도체를 생산하는 삼성전자의 사업장.

[개설]

삼성전자 화성사업장삼성전자의 DS[Device Solutions] 부문의 반도체 사업부문에 속하며, 1999년 착공되어 2001년 10월에 라인을 가동하였다. 2002년 2월부터 업계 최초로 300㎜ 웨이퍼 양산을 시작하는 등 삼성전자의 반도체 사업부문 발전에 큰 역할을 하였고, 2018년 2월에는 화성사업장에 극자외선 노광 장비인 EUV[Extreme Ultra Violet] 전용 라인 건설을 시작하여 현재 가동 중에 있다.

[건립 경위]

삼성전자는 1990년대 중반 반도체 시장 불황으로 전 세계 반도체 기업이 구조조정 중일 때, 300㎜[12inch] 웨이퍼 선행 투자를 결정하였다. 그 일환으로 1999년 7월 경기도 화성에 두 번째 반도체 생산 기지 건설을 착수하였고, 2001년 10월에 라인을 가동하였다.

[변천]

삼성전자 화성사업장은 1999년 7월 착공하고 2001년 라인을 가동하여 업계 최초로 300㎜ 웨이퍼를 양산하였다. 300㎜ 웨이퍼는 기존 200㎜보다 생산량이 2.5배 늘어나 제품 원가를 대폭 낮추는데 기여하였고 이를 토대로 생산량을 늘려 2000년대에 전체 반도체 시장에서 2위까지 올라서게 되었다. 2010년 4월부터는 일하기 좋은 일터를 표방하여, 반도체사업장을 '삼성 나노시티'로, 지역별 사업장은 '캠퍼스'로 명명하였고 삼성전자 화성사업장을 '삼성전자 나노시티 화성캠퍼스'로 부르게 되었다. 이후 점차 반도체 미세 공정이 10나노 이하로 고도화되면서 극자외선 노광 장비인 EUV가 대안으로 부상하였고 이에 대응하여 2018년 2월에 화성에 EUV 전용 라인 건설을 시작해 2019년 하반기에 완공하였다.

[구성]

삼성전자의 반도체를 담당하는 DS 부문은 메모리사업부, System LSI 사업부, Foundry 사업부, 반도체연구소, TSP 센터, 글로벌인프라총괄, LED 사업팀, 생산기술연구소, 종합기술원, DIT 센터로 구성되어 있다. 이 중 화성사업장에는 메모리사업부, System LSI 사업부, 반도체연구소, 글로벌인프라총괄, DIT센터, 생산기술연구소가 포함되어 있다.

[현황]

삼성전자 화성사업장은 약 157만㎡ 규모에 33,000여명이 종사하고 있다. 2019년부터 삼성전자 화성사업장의 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 2월 EUV 전용 라인인 'V1 라인'이 가동되었다. 현재 삼성전자 파운드리 EUV 기반 공정 현황을 살펴보면, 6나노가 2019년 하반기 양산을 시작하였고 5나노는 2019년 하반기 제품 설계를 완료하였으며, 4나노는 2020년 상반기 공정 개발을 완료하였다.

[참고문헌]
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